(916) 227-53-79


СВЕЖИЙ НОМЕР



 

Новости ИР

все новости

 

ЖУРНАЛ «ИЗОБРЕТАТЕЛЬ И РАЦИОНАЛИЗАТОР»

  
  • В России будет создано производство силовых транзисторов на нитриде галлия

    01.09.2025

    ГК «Элемент», совместное предприятие «Ростеха» и АФК «Система», собирается инвестировать в производство силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN). Проект будет реализован на площадке воронежской структуры группы — АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» (НИИЭТ). Этой информацией с газетой «Коммерсантъ» поделился гендиректор предприятия Павел Куцько на XIV воронежском промышленном форуме.

    Нитрид галлия (GaN) – современный полупроводниковый материал, который благодаря своим свойствам позволяет создавать транзисторы, работающие при более высоких температурах, на более высоких частотах, с большей плотностью мощности и энергоэффективностью, чем приборы на основе кремния. Это делает его одним из самых привлекательных материалов для использования в таких устройствах, как блоки питания, в том числе серверные, а также для СВЧ-применений, в частности в модулях усилителя радиосигнала в телекоммуникационном оборудовании.

    В локализацию кристального производства полного цикла силовых приборов на основе технологий широкозонных полупроводников GaN инвестор планирует вложить более 4 млрд руб. По данным источника, проектная мощность нового производства составит 5,4 тыс. пластин в год. Газета уточняет, что полупроводники будут производить на основе гетероструктур нитрида галлия на кремнии для силовой электроники диаметром 200 мм. НИИЭТ планирует выпускать силовые СВЧ-GaN-НЕМТ-транзисторы (с высокой подвижностью электронов) и GaN-транзисторы (с улучшенными характеристиками по сравнению с кремниевыми транзисторами, работают на более высоких частотах). Запуск проекта запланирован на 2025 г., а на проектную мощность предприятие рассчитывает выйти в течение 3 лет.

    Выбор воронежской площадки для размещения кристального производства объясняется наличием у предприятия соответствующих заделов в серийном производстве силовых приборов на нитриде галлия. На официальном сайте НИИЭТ размещена следующая информация: предприятие серийно выпускает широкую линейку данных приборов, в том числе на основе GaN-on-Si. В 2024 г. здесь была запущена новая линия по корпусированию микросхем в пластик (проектной мощностью до 10 млн приборов в год), что позволяет изготавливать компоненты с конкурентоспособной стоимостью для массового гражданского рынка.

     


    Возврат к списку



Наши партнеры

arch-2026-ru.png




http://www.i-r.ru/Рейтинг@Mail.ru

Уважаемые Читатели ИР!

В минувшем году журналу "Изобретатель и рационализатор", в первом номере которого читателей приветствовал А.Эйнштейн, исполнилось 85 лет.

Немногочисленный коллектив Редакции продолжает издавать ИР, читателями которого вы имеете честь быть. Хотя делать это становится с каждым годом все труднее. Уже давно, в начале нового века, Редакции пришлось покинуть родное место жительства на Мясницкой улице. (Ну, в самом деле, это место для банков, а не для какого-то органа изобретателей). Нам помог однако Ю.Маслюков (в то время председатель Комитета ГД ФС РФ по промышленности) перебраться в НИИАА у метро "Калужской". Несмотря на точное соблюдение Редакцией условий договора и своевременную оплату аренды, и вдохновляющее провозглашение курса на инновации Президентом и Правительством РФ, новый директор в НИИАА сообщил нам о выселении Редакции "в связи с производственной необходимостью". Это при уменьшении численности работающих в НИИАА почти в 8 раз и соответствующем высвобождении площадей и, при том, что занимаемая редакцией площадь не составляла и одну сотую процентов необозримых площадей НИИАА.

Нас приютил МИРЭА, где мы располагаемся последние пять лет. Дважды переехать, что один раз погореть, гласит пословица. Но редакция держится и будет держаться, сколько сможет. А сможет она существовать до тех пор, пока журнал "Изобретатель и рационализатор" читают и выписывают.

Стараясь охватить информацией большее число заинтересованных людей мы обновили сайт журнала, сделав его, на наш взгляд, более информативным. Мы занимаемся оцифровкой изданий прошлых лет, начиная с 1929 года - времени основания журнала. Выпускаем электронную версию. Но главное - это бумажное издание ИР.

К сожалению, число подписчиков, единственной финансовой основы существования ИР, и организаций, и отдельных лиц уменьшается. А мои многочисленные письма о поддержке журнала к государственным руководителям разного ранга (обоим президентам РФ, премьер-министрам, обоим московским мэрам, обоим губернаторам Московской области, губернатору родной Кубани, руководителям крупнейших российских компаний) результата не дали.

В связи с вышеизложенным Редакция обращается с просьбой к вам, наши читатели: поддержите журнал, разумеется, по возможности. Квитанция, по которой можно перечислить деньги на уставную деятельность, то бишь издание журнала, опубликована ниже.

Главный редактор,
канд. техн. наук		В.Бородин


   Бланк квитанции [скачать]